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2024设备材料深度分析报告：HBM迭代3D混合键合成设备材料发力点(附)
2024-10-24 10:14:38
今天分享的是：2024设备材料深度分析报告：HBM迭代，3D混合键合成设备材料发力点（报告出品方：华金证券）
HBM加速迭代，市场空间足:HBM突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为A!芯片最强辅助，我们认为HBM将持续选代，1/0口数量以及单1/0口速率将逐渐提升，HBM3以及HBM3e逐渐成为AI服务器主流配置，且产品周期相对较长，单颗容量及配置颗数逐步增加，预计HBM4于2026年发布。2024年全球HBM市场有望超百亿美元，市场空间足，国产供应链加速配套。
HBM3海力士率先引入MR-MUF，HBM4剑指混合键合:当前HBW采用“TSV+Bumping”+T0B键合方式堆叠(TSV一般由晶圆厂完成，封测厂可在堆叠环节进行配套)，但随着堆叠层数的增加散热效率很差，TC8不再满足需求，海力士率先引入MIR-MUF回归大规模回流焊工艺，芯片之间用液态环氧模塑料作为填充材料，导热率比TC-NCF中的非导电薄膜高很多，但海力士也预计HBM4会引入混合键合Hybrid Bonding方案，取消互连凸块。我们预判
